Kemet铜研磨盘32-MS368 Microsharp 368x10mm
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Kemet铜研磨盘32-MS368 Microsharp 368x10mm

一、产品背景与定位

KEMET 32-MS368 Microsharp 是专为 高精度平面研磨与抛光 设计的铜基研磨盘,属于KEMET Microsharp系列的高端产品线。该产品结合了铜的高导热性、高延展性以及精密加工工艺,适用于光学元件、半导体晶圆、陶瓷基板等对表面平整度要求极高的行业。其核心优势在于 通过铜基体与微米级磨料的协同作用,实现高效材料去除与超低表面粗糙度,是传统研磨盘的高性能替代方案。

二、设计特点与功能优势

  1. 铜基体材料特性

    • 高导热性:铜的热导率(401 W/m·K)是铝的1.7倍,可快速分散研磨过程中产生的热量,避免工件因局部过热导致变形或烧伤,尤其适合热敏感材料(如蓝宝石、玻璃)的加工。

    • 高延展性:铜的延展率(约45%)远高于钢(约25%),在研磨压力下能轻微变形以贴合工件表面微小凹凸,减少边缘崩裂风险,提升良品率。

    • 耐腐蚀性:基体表面经特殊钝化处理,可抵抗研磨液中的弱酸性成分(如氧化铝悬浮液中的pH调节剂),延长使用寿命。

  2. 尺寸与结构优化

    • 规格:直径368mm、厚度10mm,兼顾研磨稳定性与操作灵活性,适配多数手动研磨机及小型自动化设备。

    • 中心孔设计:默认配置φ75mm中心孔,可选配φ50mm或键槽结构(需定制),确保与设备主轴的同轴度≤0.02mm。

    • 边缘倒角:盘体边缘采用C0.5mm倒角处理,减少安装时划伤操作人员或设备的风险。

三、关键技术参数

  1. 基础参数

    • 材料:铜基体(纯度≥99.9%),表面磨料层厚度约0.5mm

    • 硬度:铜基体硬度HV 80-100,磨料层硬度HV 2000-3000(金刚石)

    • 密度:8.9g/cm³(铜基体),实际研磨层密度因磨料嵌入而略有增加

  2. 研磨性能

    • 玻璃:5-15μm/min(粗抛)

    • 蓝宝石:1-5μm/min(精抛)

    • 陶瓷:3-10μm/min(半精抛)

    • 适用压力:0.5-3kg/cm²(软质材料用低压,硬质材料用高压)

    • 推荐转速:500-2000rpm(根据材料硬度调整,高硬度材料用高速)

    • 材料去除率

    • 表面粗糙度:可达Ra<0.005μm(配合1μm以下金刚石膏精抛)

  3. 环境适应性

    • 工作温度:-10℃至+80℃(避免高温导致铜基体软化)

    • 湿度:≤85%RH(防止研磨液吸湿结块)

    • 存储条件:干燥通风环境,远离强酸强碱(如盐酸、氢氧化钠)

  4. 寿命指标

    • 粗抛阶段:可处理工件面积约20-50m²(以3mm厚玻璃为例)

    • 精抛阶段:可处理工件面积约5-15m²(以0.5mm厚蓝宝石为例)

    • 寿命影响因素:磨料粒度、工作压力、冷却液使用频率

四、典型应用场景

  1. 光学行业

    • 应用对象:手机摄像头镜片、激光晶体、滤光片、光学窗口片

    • 优势:铜基体的高导热性可防止镜片因研磨热产生应力双折射,微米级沟槽设计避免传统平面盘易产生的“干斑”划痕。

  2. 半导体与电子

    • 应用对象:硅晶圆背面减薄、碳化硅衬底抛光、LED芯片基板

    • 优势:铜的延展性可适应晶圆边缘的微小变形,减少崩边;精密平面度确保晶圆全局厚度偏差(TTV)≤1μm。

  3. 陶瓷与复合材料

    • 应用对象:氧化锆陶瓷轴承、氮化硅人工关节、陶瓷封装基板

    • 优势:铜基体与陶瓷的硬度匹配性优于钢盘,避免过度切削;磨料层的高硬度可快速去除陶瓷表面加工硬化层。

  4. 金属精密加工

    • 应用对象:不锈钢手表外壳、钛合金医疗器械、铝合金反射镜

    • 优势:铜基体不会像钢盘那样在金属表面留下磁性残留,适合对清洁度要求极高的场景;微米级沟槽可存储抛光液,提升光泽度。

五、操作指南与技巧

  1. 安装步骤

    • 清洁主轴:用无尘布擦拭设备主轴表面,去除油污或金属屑。

    • 对准中心孔:将研磨盘中心孔缓慢套入主轴,避免磕碰导致盘面变形。

    • 锁紧螺母:按设备说明书扭矩要求(通常10-15N·m)拧紧螺母,防止研磨时盘体松动。

  2. 研磨液选择

    • 粗抛阶段:使用 5-10μm金刚石悬浮液 或 W20氧化铝悬浮液,配合去离子水稀释(稀释比1:5-1:10)。

    • 精抛阶段:使用 0.5-1μm金刚石膏 或 二氧化硅胶体,直接涂抹于盘面,无需稀释。

  3. 压力与转速控制

    • 压力:2-3kg/cm²

    • 转速:1500-2000rpm

    • 目的:提高材料去除效率

    • 压力:0.5-1kg/cm²

    • 转速:500-1000rpm

    • 目的:避免压力过大导致材料破裂



对于需要进一步了解或采购相关产品的用户,建议联系上海萨帛机电控制系统有限公司info@sahbore.com,以获取详细的技术规格和专业的客户支持





12999.00
¥11999.00
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重量:0.000KG
商品描述

一、产品背景与定位

KEMET 32-MS368 Microsharp 是专为 高精度平面研磨与抛光 设计的铜基研磨盘,属于KEMET Microsharp系列的高端产品线。该产品结合了铜的高导热性、高延展性以及精密加工工艺,适用于光学元件、半导体晶圆、陶瓷基板等对表面平整度要求极高的行业。其核心优势在于 通过铜基体与微米级磨料的协同作用,实现高效材料去除与超低表面粗糙度,是传统研磨盘的高性能替代方案。

二、设计特点与功能优势

  1. 铜基体材料特性

    • 高导热性:铜的热导率(401 W/m·K)是铝的1.7倍,可快速分散研磨过程中产生的热量,避免工件因局部过热导致变形或烧伤,尤其适合热敏感材料(如蓝宝石、玻璃)的加工。

    • 高延展性:铜的延展率(约45%)远高于钢(约25%),在研磨压力下能轻微变形以贴合工件表面微小凹凸,减少边缘崩裂风险,提升良品率。

    • 耐腐蚀性:基体表面经特殊钝化处理,可抵抗研磨液中的弱酸性成分(如氧化铝悬浮液中的pH调节剂),延长使用寿命。

  2. 尺寸与结构优化

    • 规格:直径368mm、厚度10mm,兼顾研磨稳定性与操作灵活性,适配多数手动研磨机及小型自动化设备。

    • 中心孔设计:默认配置φ75mm中心孔,可选配φ50mm或键槽结构(需定制),确保与设备主轴的同轴度≤0.02mm。

    • 边缘倒角:盘体边缘采用C0.5mm倒角处理,减少安装时划伤操作人员或设备的风险。

三、关键技术参数

  1. 基础参数

    • 材料:铜基体(纯度≥99.9%),表面磨料层厚度约0.5mm

    • 硬度:铜基体硬度HV 80-100,磨料层硬度HV 2000-3000(金刚石)

    • 密度:8.9g/cm³(铜基体),实际研磨层密度因磨料嵌入而略有增加

  2. 研磨性能

    • 玻璃:5-15μm/min(粗抛)

    • 蓝宝石:1-5μm/min(精抛)

    • 陶瓷:3-10μm/min(半精抛)

    • 适用压力:0.5-3kg/cm²(软质材料用低压,硬质材料用高压)

    • 推荐转速:500-2000rpm(根据材料硬度调整,高硬度材料用高速)

    • 材料去除率

    • 表面粗糙度:可达Ra<0.005μm(配合1μm以下金刚石膏精抛)

  3. 环境适应性

    • 工作温度:-10℃至+80℃(避免高温导致铜基体软化)

    • 湿度:≤85%RH(防止研磨液吸湿结块)

    • 存储条件:干燥通风环境,远离强酸强碱(如盐酸、氢氧化钠)

  4. 寿命指标

    • 粗抛阶段:可处理工件面积约20-50m²(以3mm厚玻璃为例)

    • 精抛阶段:可处理工件面积约5-15m²(以0.5mm厚蓝宝石为例)

    • 寿命影响因素:磨料粒度、工作压力、冷却液使用频率

四、典型应用场景

  1. 光学行业

    • 应用对象:手机摄像头镜片、激光晶体、滤光片、光学窗口片

    • 优势:铜基体的高导热性可防止镜片因研磨热产生应力双折射,微米级沟槽设计避免传统平面盘易产生的“干斑”划痕。

  2. 半导体与电子

    • 应用对象:硅晶圆背面减薄、碳化硅衬底抛光、LED芯片基板

    • 优势:铜的延展性可适应晶圆边缘的微小变形,减少崩边;精密平面度确保晶圆全局厚度偏差(TTV)≤1μm。

  3. 陶瓷与复合材料

    • 应用对象:氧化锆陶瓷轴承、氮化硅人工关节、陶瓷封装基板

    • 优势:铜基体与陶瓷的硬度匹配性优于钢盘,避免过度切削;磨料层的高硬度可快速去除陶瓷表面加工硬化层。

  4. 金属精密加工

    • 应用对象:不锈钢手表外壳、钛合金医疗器械、铝合金反射镜

    • 优势:铜基体不会像钢盘那样在金属表面留下磁性残留,适合对清洁度要求极高的场景;微米级沟槽可存储抛光液,提升光泽度。

五、操作指南与技巧

  1. 安装步骤

    • 清洁主轴:用无尘布擦拭设备主轴表面,去除油污或金属屑。

    • 对准中心孔:将研磨盘中心孔缓慢套入主轴,避免磕碰导致盘面变形。

    • 锁紧螺母:按设备说明书扭矩要求(通常10-15N·m)拧紧螺母,防止研磨时盘体松动。

  2. 研磨液选择

    • 粗抛阶段:使用 5-10μm金刚石悬浮液 或 W20氧化铝悬浮液,配合去离子水稀释(稀释比1:5-1:10)。

    • 精抛阶段:使用 0.5-1μm金刚石膏 或 二氧化硅胶体,直接涂抹于盘面,无需稀释。

  3. 压力与转速控制

    • 压力:2-3kg/cm²

    • 转速:1500-2000rpm

    • 目的:提高材料去除效率

    • 压力:0.5-1kg/cm²

    • 转速:500-1000rpm

    • 目的:避免压力过大导致材料破裂



对于需要进一步了解或采购相关产品的用户,建议联系上海萨帛机电控制系统有限公司info@sahbore.com,以获取详细的技术规格和专业的客户支持